Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN5R6-60YLX

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
72 A
Pulsed drain current
405 A
Рассеиваемая мощность
167 W

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяPSMN5R6-60YLX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current72 A
Pulsed drain current405 A
Рассеиваемая мощность167 W
КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
On-state resistance16.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge66.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 72A; Idm: 405A; 167W

Документация

Документы пока не предоставлены.