Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN5R6-100PS,127

PSMN5R6-100PS,127
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
100 A
Pulsed drain current
539 A
Рассеиваемая мощность
306 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяPSMN5R6-100PS,127
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current100 A
Pulsed drain current539 A
Рассеиваемая мощность306 W
КорпусSOT78, TO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.3 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge141nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 539A; 306W

Документация

Документы пока не предоставлены.