Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN5R6-100BS,118

PSMN5R6-100BS,118
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
100 A
Pulsed drain current
539 A
Power dissipation
306 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMN5R6-100BS,118
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current100 A
Pulsed drain current539 A
Power dissipation306 W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13.22 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge141nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 539A; 306W

Документация

Документы пока не предоставлены.