Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN5R2-60YLX

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
100 A
Pulsed drain current
479 A
Power dissipation
195 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPSMN5R2-60YLX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current100 A
Pulsed drain current479 A
Power dissipation195 W
КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge78.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 479A; 195W

Документация

Документы пока не предоставлены.