NEXPERIA

Транзистор PSMN4R8-100YSEX

LFPAK56E, PowerSO8, SOT1023Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 115 A
Pulsed drain current: 653 A
Рассеиваемая мощность: 294 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PSMN4R8-100YSEX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	115 A
Pulsed drain current	653 A
Рассеиваемая мощность	294 W
Корпус	LFPAK56E, PowerSO8, SOT1023
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	7.7 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	0.12µC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 115A; Idm: 653A; 294W

Документация

Документы пока не предоставлены.