Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN4R8-100BSEJ

PSMN4R8-100BSEJ
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
120 A
Power dissipation
405 W
Корпус
D2PAK, SOT404
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMN4R8-100BSEJ
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current120 A
Power dissipation405 W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge278nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 405W; D2PAK,SOT404

Документация

Документ производителя