Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN4R6-60BS,118

PSMN4R6-60BS,118
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
100 A
Pulsed drain current
565 A
Рассеиваемая мощность
211 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 689 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%507,17 ₽

Сумма · с НДС 22%507,17 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1507,17 ₽
от 10380,83 ₽
от 25342,92 ₽
от 100315,85 ₽
от 250303,22 ₽
от 500272,53 ₽
от 800252,68 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяPSMN4R6-60BS,118
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current100 A
Pulsed drain current565 A
Рассеиваемая мощность211 W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge70.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W

Документация

Документы пока не предоставлены.