NEXPERIA
Транзистор PSMN4R4-80BS,118
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 80 V
- Drain current
- 100 A
- Pulsed drain current
- 680 A
- Рассеиваемая мощность
- 306 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 526 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%633,54 ₽
Сумма · с НДС 22%633,54 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 633,54 ₽ | |
| от 5 | 579,18 ₽ | |
| от 10 | 537,95 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | PSMN4R4-80BS,118 |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 80 V |
| Drain current | 100 A |
| Pulsed drain current | 680 A |
| Рассеиваемая мощность | 306 W |
| Корпус | D2PAK, SOT404 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 9.12 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 125nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.