NEXPERIA

Транзистор PSMN4R3-40MLHX

LFPAK33, SOT1210Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 69 A
Pulsed drain current: 392 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PSMN4R3-40MLHX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	NextPowerS3
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	69 A
Pulsed drain current	392 A
Рассеиваемая мощность	90 W
Корпус	LFPAK33, SOT1210
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	12 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	43nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A

Документация

Документы пока не предоставлены.