Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN4R3-100PS,127

PSMN4R3-100PS,127
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
673 A
Рассеиваемая мощность
338 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMN4R3-100PS,127
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current120 A
Pulsed drain current673 A
Рассеиваемая мощность338 W
КорпусSOT78, TO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10.4 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge170nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 673A; 338W

Документация

Документы пока не предоставлены.