NEXPERIA

Транзистор PSMN4R2-40VSHX

LFPAK56D, SOT1205Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 69.5 A
Pulsed drain current: 393 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PSMN4R2-40VSHX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	NextPowerS3
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	69.5 A
Pulsed drain current	393 A
Рассеиваемая мощность	85 W
Корпус	LFPAK56D, SOT1205
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	8.8 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	37nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 69.5A; 85W

Документация

Документы пока не предоставлены.