Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN4R2-30MLDX

PSMN4R2-30MLDX
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
70 A
Pulsed drain current
366 A
Power dissipation
65 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 464 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%99,68 ₽

Сумма · с НДС 22%99,68 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 199,68 ₽
от 1074,66 ₽
от 10067,14 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяPSMN4R2-30MLDX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current70 A
Pulsed drain current366 A
Power dissipation65 W
КорпусLFPAK33, SOT1210
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 366A; 65W

Документация

Документы пока не предоставлены.