NEXPERIA
Транзистор PSMN4R1-60YLX
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 100 A
- Pulsed drain current
- 593 A
- Рассеиваемая мощность
- 238 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 043 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%308,97 ₽
Сумма · с НДС 22%308,97 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 308,97 ₽ | |
| от 10 | 256,88 ₽ | |
| от 25 | 229,93 ₽ | |
| от 100 | 213,76 ₽ | |
| от 250 | 204,78 ₽ | |
| от 500 | 183,23 ₽ | |
| от 1000 | 168,86 ₽ | |
| от 1500 | 165,26 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | PSMN4R1-60YLX |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 100 A |
| Pulsed drain current | 593 A |
| Рассеиваемая мощность | 238 W |
| Корпус | LFPAK56, PowerSO8, SOT669 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 3.3 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 103nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.