Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN4R0-40YS,115

PSMN4R0-40YS,115
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
83 A
Pulsed drain current
472 A
Power dissipation
106 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPSMN4R0-40YS,115
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current83 A
Pulsed drain current472 A
Power dissipation106 W
КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W

Документация

Документы пока не предоставлены.