Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN4R0-30YLDX

PSMN4R0-30YLDX
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
95 A
Pulsed drain current
378 A
Рассеиваемая мощность
64 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 235 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%155,72 ₽

Сумма · с НДС 22%155,72 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1155,72 ₽
от 10126,59 ₽
от 5093,25 ₽
от 10081,52 ₽
от 20071,45 ₽
от 50060,27 ₽
от 100058,08 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяPSMN4R0-30YLDX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current95 A
Pulsed drain current378 A
Рассеиваемая мощность64 W
КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W

Документация

Документ производителя