NEXPERIA
Транзистор PSMN4R0-30YLDX
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 95 A
- Pulsed drain current
- 378 A
- Рассеиваемая мощность
- 64 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 235 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%155,72 ₽
Сумма · с НДС 22%155,72 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 155,72 ₽ | |
| от 10 | 126,59 ₽ | |
| от 50 | 93,25 ₽ | |
| от 100 | 81,52 ₽ | |
| от 200 | 71,45 ₽ | |
| от 500 | 60,27 ₽ | |
| от 1000 | 58,08 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | PSMN4R0-30YLDX |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 95 A |
| Pulsed drain current | 378 A |
| Рассеиваемая мощность | 64 W |
| Корпус | LFPAK56, PowerSO8, SOT669 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 4.4 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 9.1nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.