NEXPERIA
Транзистор PSMN3R9-60PSQ
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 130 A
- Pulsed drain current
- 705 A
- Рассеиваемая мощность
- 263 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 64 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%590,21 ₽
Сумма · с НДС 22%590,21 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 590,21 ₽ | |
| от 3 | 531,38 ₽ | |
| от 10 | 468,86 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | PSMN3R9-60PSQ |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 130 A |
| Pulsed drain current | 705 A |
| Рассеиваемая мощность | 263 W |
| Корпус | SOT78, TO220AB |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 2.94 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 103nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.