Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN3R7-100BSEJ

PSMN3R7-100BSEJ
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
120A
Pulsed drain current
780A
Power dissipation
405W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPSMN3R7-100BSEJ
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current120A
Pulsed drain current780A
Power dissipation405W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±20V
On-state resistance10.7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge246nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 780A; 405W

Документация

Документы пока не предоставлены.