Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN3R5-80YSFX

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
135 A
Pulsed drain current
765 A
Power dissipation
294 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPSMN3R5-80YSFX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current135 A
Pulsed drain current765 A
Power dissipation294 W
КорпусLFPAK56E, PowerSO8, SOT1023
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge112.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 135A; Idm: 765A; 294W

Документация

Документы пока не предоставлены.