Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN2R8-80BS,118

PSMN2R8-80BS,118
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
824 A
Рассеиваемая мощность
306 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMN2R8-80BS,118
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current120 A
Pulsed drain current824 A
Рассеиваемая мощность306 W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6.12 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge139nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 824A; 306W

Документация

Документы пока не предоставлены.