Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN2R7-30BL,118

PSMN2R7-30BL,118
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
100 A
Pulsed drain current
730 A
Power dissipation
170 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMN2R7-30BL,118
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current100 A
Pulsed drain current730 A
Power dissipation170 W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge32nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 730A; 170W

Документация

Документы пока не предоставлены.