Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN2R6-30YLC,115

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
100 A
Pulsed drain current
575 A
Power dissipation
106 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPSMN2R6-30YLC,115
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current100 A
Pulsed drain current575 A
Power dissipation106 W
КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.35 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 575A; 106W

Документация

Документы пока не предоставлены.