NEXPERIA

Транзистор PSMN2R5-40YLDX

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 121A
Pulsed drain current: 682A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PSMN2R5-40YLDX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	NextPowerS3
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40V
Drain current	121A
Pulsed drain current	682A
Power dissipation	147W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	6.4mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	78nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 121A; Idm: 682A

Документация

Документы пока не предоставлены.