Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN2R4-30MLDX

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
NextPowerS3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
70 A
Pulsed drain current
580 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMN2R4-30MLDX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияNextPowerS3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current70 A
Pulsed drain current580 A
Power dissipation91 W
КорпусLFPAK33, SOT1210
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge51nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 70A; Idm: 580A

Документация

Документы пока не предоставлены.