Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN2R1-40PLQ

PSMN2R1-40PLQ
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
150 A
Pulsed drain current
1075 A
Power dissipation
293 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMN2R1-40PLQ
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current150 A
Pulsed drain current1075 A
Power dissipation293 W
КорпусSOT78, TO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.2 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge168.9nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 1075A; 293W

Документация

Документы пока не предоставлены.