Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN2R0-30YLE,115

PSMN2R0-30YLE,115
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
100 A
Pulsed drain current
1015 A
Power dissipation
238 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 304 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%300,91 ₽

Сумма · с НДС 22%300,91 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1300,91 ₽
от 10270,82 ₽
от 25250,13 ₽
от 100238,85 ₽
от 250216,28 ₽
от 500206,88 ₽
от 1000199,36 ₽
от 1500193,71 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяPSMN2R0-30YLE,115
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current100 A
Pulsed drain current1015 A
Power dissipation238 W
КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge87nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W

Документация

Документы пока не предоставлены.