NEXPERIA

Транзистор PSMN1R9-80SSEJ

LFPAK88, SOT1235Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 202 A
Pulsed drain current: 1142 A
Рассеиваемая мощность: 340 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PSMN1R9-80SSEJ
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	202 A
Pulsed drain current	1142 A
Рассеиваемая мощность	340 W
Корпус	LFPAK88, SOT1235
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	4.2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	232nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 202A; Idm: 1142A; 340W

Документация

Документы пока не предоставлены.