NEXPERIA

Транзистор PSMN1R9-40YSDX

LFPAK56, PowerSO8, SOT669Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 162 A
Pulsed drain current: 919 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PSMN1R9-40YSDX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	NextPowerS3
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	162 A
Pulsed drain current	919 A
Power dissipation	194 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	3.7 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	80nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 162A; Idm: 919A

Документация

Документы пока не предоставлены.