Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN1R8-40YLC,115

PSMN1R8-40YLC,115
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
272 W
Корпус
LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMN1R8-40YLC,115
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность272 W
КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 272W

Документация

Документ производителя