Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN1R8-30PL,127

PSMN1R8-30PL,127
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
100 A
Pulsed drain current
1120 A
Рассеиваемая мощность
270 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMN1R8-30PL,127
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current100 A
Pulsed drain current1120 A
Рассеиваемая мощность270 W
КорпусSOT78, TO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.8 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge83nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1120A; 270W

Документация

Документы пока не предоставлены.