NEXPERIA

Транзистор PSMN1R8-30MLHX

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 110 A
Pulsed drain current: 624 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PSMN1R8-30MLHX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	NextPowerS3
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	110 A
Pulsed drain current	624 A
Power dissipation	106 W
Корпус	LFPAK33, SOT1210
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	5.3 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	58nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 110A; Idm: 624A

Документация

Документы пока не предоставлены.