NEXPERIA
Транзистор PSMN1R7-60BS,118
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 120 A
- Рассеиваемая мощность
- 306 W
- Корпус
- D2PAK, SOT404
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 354 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%753,91 ₽
Сумма · с НДС 22%753,91 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 753,91 ₽ | |
| от 5 | 647,01 ₽ | |
| от 10 | 594,50 ₽ | |
| от 25 | 573,87 ₽ | |
| от 50 | 540,11 ₽ | |
| от 100 | 508,23 ₽ | |
| от 400 | 496,98 ₽ | |
| от 800 | 481,97 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | PSMN1R7-60BS,118 |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 120 A |
| Рассеиваемая мощность | 306 W |
| Корпус | D2PAK, SOT404 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 4.5 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 137nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.