NEXPERIA

Транзистор PSMN1R7-40YLDX

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 167 A
Pulsed drain current: 944 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PSMN1R7-40YLDX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	NextPowerS3
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	167 A
Pulsed drain current	944 A
Power dissipation	194 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	4.5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	109nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 167A; Idm: 944A

Документация

Документы пока не предоставлены.