NEXPERIA

Транзистор PSMN1R6-30MLHX

LFPAK33, SOT1210Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 116 A
Pulsed drain current: 656 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PSMN1R6-30MLHX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	NextPowerS3
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	116 A
Pulsed drain current	656 A
Power dissipation	106 W
Корпус	LFPAK33, SOT1210
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	4.8 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	68nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 116A; Idm: 656A

Документация

Документы пока не предоставлены.