Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN1R5-30BLEJ

PSMN1R5-30BLEJ
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
120A
Pulsed drain current
1521A
Power dissipation
401W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPSMN1R5-30BLEJ
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current120A
Pulsed drain current1521A
Power dissipation401W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge228nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1521A; 401W

Документация

Документы пока не предоставлены.