NEXPERIA

Транзистор PSMN1R4-30YLDX

LFPAK56, PowerSO8, SOT669Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 100 A
Pulsed drain current: 1019 A
Рассеиваемая мощность: 166 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PSMN1R4-30YLDX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	100 A
Pulsed drain current	1019 A
Рассеиваемая мощность	166 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	1.44 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	54.8nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1019A; 166W

Документация

Документы пока не предоставлены.