Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN1R2-30YLDX

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
209 A
Pulsed drain current
1181 A
Power dissipation
194 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMN1R2-30YLDX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current209 A
Pulsed drain current1181 A
Power dissipation194 W
КорпусLFPAK56E, PowerSO8, SOT1023
On-state resistance2.05 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge68nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 209A; Idm: 1181A; 194W

Документация

Документы пока не предоставлены.