Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN1R1-30PL,127

PSMN1R1-30PL,127
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
120A
Pulsed drain current
1609A
Power dissipation
338W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPSMN1R1-30PL,127
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current120A
Pulsed drain current1609A
Power dissipation338W
КорпусSOT78, TO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.8mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge243nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W

Документация

Документы пока не предоставлены.