NEXPERIA

Транзистор PSMN1R1-25YLC,115

LFPAK56, PowerSO8, SOT669Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25 V
Drain current: 100 A
Pulsed drain current: 1318 A
Рассеиваемая мощность: 215 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PSMN1R1-25YLC,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	25 V
Drain current	100 A
Pulsed drain current	1318 A
Рассеиваемая мощность	215 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.95 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	39nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1318A; 215W

Документация

Документы пока не предоставлены.