NEXPERIA

Транзистор PSMN1R0-40YSHX

LFPAK56E, PowerSO8, SOT1023Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 277 A
Pulsed drain current: 1564 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PSMN1R0-40YSHX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	NextPowerS3
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	277 A
Pulsed drain current	1564 A
Power dissipation	333 W
Корпус	LFPAK56E, PowerSO8, SOT1023
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	2.2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	122nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 277A; Idm: 1564A

Документация

Документы пока не предоставлены.