Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN1R0-40ULDX

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
NextPowerS3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
198 A
Pulsed drain current
1168 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPSMN1R0-40ULDX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияNextPowerS3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current198 A
Pulsed drain current1168 A
Power dissipation164 W
КорпусSOT1023 A
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.45 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge127nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1168A

Документация

Документы пока не предоставлены.