Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN1R0-30YLDX

PSMN1R0-30YLDX
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
255 A
Power dissipation
238 W
Корпус
LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPSMN1R0-30YLDX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current255 A
Power dissipation238 W
КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.15 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge121.35nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W

Документация

Документы пока не предоставлены.