NEXPERIA
Транзистор PSMN1R0-30YLC,115
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 100 A
- Рассеиваемая мощность
- 272 W
- Корпус
- LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 150 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%416,83 ₽
Сумма · с НДС 22%416,83 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 416,83 ₽ | |
| от 10 | 349,84 ₽ | |
| от 25 | 314,48 ₽ | |
| от 100 | 292,15 ₽ | |
| от 250 | 279,13 ₽ | |
| от 500 | 249,35 ₽ | |
| от 1000 | 234,47 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | PSMN1R0-30YLC,115 |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 100 A |
| Рассеиваемая мощность | 272 W |
| Корпус | LFPAK56, PowerSO8, SOT669 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 1.15 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 70nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Features of semiconductor devices | logic level |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.