NEXPERIA

Транзистор PSMN102-200Y,115

LFPAK56, PowerSO8, SOT669Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200 V
Drain current: 13.6 A
Pulsed drain current: 65 A
Рассеиваемая мощность: 113 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PSMN102-200Y,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	200 V
Drain current	13.6 A
Pulsed drain current	65 A
Рассеиваемая мощность	113 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	245 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	30.7nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.6A; Idm: 65A; 113W

Документация

Документы пока не предоставлены.