Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN0R9-30YLDX

PSMN0R9-30YLDX
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
284 A
Pulsed drain current
1.8kA
Power dissipation
291 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPSMN0R9-30YLDX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current284 A
Pulsed drain current1.8kA
Power dissipation291 W
КорпусLFPAK56E, PowerSO8, SOT1023
On-state resistance1.44 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge109nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W

Документация

Документы пока не предоставлены.