Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN0R9-30ULDX

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
NextPowerS3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
284 A
Pulsed drain current
1592 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPSMN0R9-30ULDX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyNextPowerS3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current284 A
Pulsed drain current1592 A
Power dissipation227 W
КорпусSOT1023 A
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge109nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1592A

Документация

Документы пока не предоставлены.