Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN057-200B,118

PSMN057-200B,118
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
27.5 A
Pulsed drain current
156 A
Power dissipation
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMN057-200B,118
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current27.5 A
Pulsed drain current156 A
Power dissipation250 W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.165 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge135nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 27.5A; Idm: 156A; 250W

Документация

Документы пока не предоставлены.