NEXPERIA

Транзистор PSMN045-80YS,115

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 24 A
Pulsed drain current: 86 A
Power dissipation: 56 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PSMN045-80YS,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	24 A
Pulsed drain current	86 A
Power dissipation	56 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	37 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	12.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 24A; Idm: 86A; 56W

Документация

Документы пока не предоставлены.