Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN038-100YLX

PSMN038-100YLX
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
21.3A
Pulsed drain current
120A
Power dissipation
94.9W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPSMN038-100YLX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current21.3A
Pulsed drain current120A
Power dissipation94.9W
КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
On-state resistance103.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge39.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W

Документация

Документы пока не предоставлены.