PANJIT

Транзистор PSMN028N10NS2_R2_00201

TOLLИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 240 A
Pulsed drain current: 960 A
Рассеиваемая мощность: 167 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PSMN028N10NS2_R2_00201
Производитель	PANJIT
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	240 A
Pulsed drain current	960 A
Рассеиваемая мощность	167 W
Корпус	TOLL
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	2.8 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	65nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL

Документация

Документы пока не предоставлены.