Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN027-100BS,118

PSMN027-100BS,118
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
37 A
Pulsed drain current
148 A
Рассеиваемая мощность
103 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMN027-100BS,118
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current37 A
Pulsed drain current148 A
Рассеиваемая мощность103 W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance59 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W

Документация

Документы пока не предоставлены.